2dsemiconductors MBE-MoSe2说明书

2D MBE MoSe2

分子式： MoSe2

2D MBE MoSe2

一个分子束外延 (MBE) 生长的 MoSe2 单分子层。MBE 是一种用于单晶质量薄膜沉积的外延方法，与化学气相沉积 (CVD) 或金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 技术相比，它提供了高结晶度和降低的缺陷密度（参见下面的 HRTEM 图像）。MoSe2 单层的 MBE 生长发生在 MBE 室中，基础压力为 8E-9 Torr，沉积速率极慢（每秒 5-100 个原子）以达到结构。典型的 MBE 生长在双面抛光 c 切蓝宝石上产生单层厚的 MoSe2 隔离三角形。目前，MBE MoSe2 仅在蓝宝石基板上提供，但在不久的将来，我们的 MBE 基板还将包括云母、石墨和金。   

MBE、CVD、MOCVD的比较

MBE、CVD和MOCVD之间的TEM比较

 从 MBE MoSe2 收集的光学图像

MBE MoSe2 悬浮在 TEM 网格上

 从 MBE MoSe2 收集的 PL 光谱

 从 MBE MoSe2 收集的拉曼光谱